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Samsung 850 EVO SATA III 2.5" SSD

EAN:

Herstellernummer:

Kapazität
ab 119,00 €

inkl. 19% USt., zzgl. Versand

sofort verfügbar

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Beschreibung

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von vorhandenen Technologien?

Der 3D V-NAND-Flash-Speicher verfügt über eine innovative vertikale Architektur, bei der 32 Zellebenen übereinander eingebaut wurden, anstatt die Abmessungen der Zellen zu verringern, um sie in die immer kleiner werdenden Gehäuse einzupassen. Das Ergebnis: höhere Kapazität und Leistung bei geringerem Platzbedarf. Zudem konnten die Kapazitätsgrenzen im Vergleich zu einer konventionellen ebenen NAND-Architektur überwunden werden.


D V-NAND-Flash-Speicher

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie.

Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.


Samsung 850 Evo Lesen 540 MB/s Schreiben 520 MB/s

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur

Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.


RAPID-Modus

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND

Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.


Hard Disk Speicher SSD

Sichern Sie Ihre Daten mit der AES 256-Bit-Verschlüsselung

Die 850 EVO ist mit der neuesten, hardwarebasierten Verschlüsselungstechnik ausgerüstet. Die AES-Verschlüsselung mit 256 Bit sichert Daten ohne die üblichen Leistungseinbußen und erfüllt die Vorgaben von TCG Opal 2.0. Die Verschlüsselung ist außerdem kompatibel mit Microsoft eDrive nach IEEE 1667-Spezifikation. So sind Ihre Daten zu jeder Zeit vor unbefugten Zugriffen geschützt.


eDRIVE

Dynamischer Überhitzungsschutz

Der dynamische Hitzeschutz der 850 EVO (Dynamic Thermal Guard) überwacht die Temperatur und hält diese zum Schutz der Datenintegrität auf einem optimalen Wert. Wenn die Temperatur einen Schwellenwert überschreitet, wird die SSD automatisch leicht gedrosselt, um den Computer vor Überhitzung zu schützen. So sind Ihre Daten sicher und die Reaktionsfähigkeit bleibt dabei erhalten.


Dynamic Thermal Guard

Steigen Sie auf die 850 EVO um - problemlos!

Mit der One-stop Installations- und Navigations-Software können Sie mit drei einfachen Schritten ohne großen Aufwand sämtliche Daten und Anwendungen von Ihrem bisherigen Laufwerk auf die 850 EVO migrieren. Mit der Samsung Magician Software können Sie außerdem Ihr System auf die SSD 850 EVO ideal anpassen, optimieren und verwalten.


Flash Drive

Hochwertige Komponenten aus einer Hand

Samsung entwickelt alle SSD-Komponenten selbst, was eine optimale Integration bedeutet. Das Ergebnis ist eine verbesserte Leistung, ein niedrigerer Energieverbrauch des Speichers und des bis zu 1GB großen LPDDR2/LPDDR3 DRAM Caches, sowie eine insgesamt verbesserte Energieeffizienz durch den MEX/MGX-Controller.


LPDDR2/LPDDR3 DRAM

Merkmale

Hersteller:
Schnittstelle:
Zuverlässigkeit (MTBF):
Kapazität:
Format:
Festplattentyp:
Cache-Speicher:
Kontroller:
Maximale Lesegeschwindigkeit:
Maximale Schreibgeschwindigkeit:
Random Lesen:
Random Schreiben:
Zusätzliche Informationen:
Höhe:
Breite:
Tiefe:
Gewicht:

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